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本发明涉及一种用于制造包括多个电极的集成电路的 *** ，所述 *** 包括。更具体地，本发明涉及一种用于制造包括多个电极的集成电路的 *** ，所述 *** 包括。

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更具体地，本发明涉及一种包括一个或多个半导体衬底的集成电路，所述半导体衬底包括至少一个第一电极和至少一个第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极彼此平行行布置。本发明提供一种用于制造半导体器件的 *** ，其中所述 *** 包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的基底，所述第一表面具有形成有多个沟槽的第一表面区域，所述第二表面具有形成有多个沟槽的第二表面区域，其中所述沟槽的深度小于所述第一表面区域的深度。本发明还提供一种制造半导体器件的 *** ，包括以下步骤：提供基板，所述基板包括第一表面区域和第二表面区域，所述第一表面区域和第二表面区域形成在所述基板的相对侧上，其中所述第一表面区域和第二表面区域之间的距离大于0、5mm。